Numărul de produs al producătorului:
TSM052NB03CR RLG
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM052NB03CR RLG-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 90A (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventar:
4980 Piese Noi Originale În Stoc
13270757
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM052NB03CR RLG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Ta), 90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2294 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.1W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-PDFN (5x6)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
TSM052
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
1801-TSM052NB03CRRLGDKR
1801-TSM052NB03CRRLGTR
1801-TSM052NB03CRRLGCT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA100N04T2-TRL
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
IXTT38N30L2HV
MOSFET N-CH 300V 38A TO268HV
IXFX400N15X3
MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247-3